台积电5nm开始风险生产：比7nm密度高1.8倍、性能提升15%

2019-4-7 09:45| 发布者: IC后端| 查看: 1715| 评论: 0

摘要: 本月3号，台积电（TSMC）宣布，率先完成5nm的架构设计，基于EUV极紫外微影（光刻）技术，且已经进入试产阶段。根据官方数据，相较于7nm（第一代DUV），基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能够提供1.8倍的逻辑密度、 ...

本月3号，台积电（TSMC）宣布，率先完成5nm的架构设计，基于EUV极紫外微影（光刻）技术，且已经进入试产阶段。

根据官方数据，相较于7nm（第一代DUV），基于Cortex A72核心的全新5nm芯片能够提供1.8倍的逻辑密度、速度增快15%。同样制程的SRAM也十分优异且面积缩减。

台积电同时宣布提供完整的5nm设计规则手册、SPICE模型、制程设计套件以及通过硅晶圆验证的基材，并且全面支持EDA（电子自动化设计工具）。

今年初，台积电曾表示，5nm将于2020年底之前量产，考虑到还有1年半的时间，完全可以期待。

据悉，此次的第一代5nm是台积电第二次引入EUV技术，多达14层；而第二代7nm（预计今年苹果A13、麒麟985/990要用）的EUV，只有4层规模。

随着格芯（GF）、联电的退出，目前能够做7nm以及更先进工艺晶圆的厂商就只剩下了三星、台积电和Intel，但Intel实际上并不和台积电直接竞争，因为其晶圆厂甚至连满足自家需求都还捉急，只是保不齐对手AMD会重金下单。

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